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Tubo do MOS do efeito de campo do transistor de poder da série 700V CoolMOS P7 de IPD70R1K4P7S

Certificado
de boa qualidade fusíveis automotivos da lâmina para vendas
de boa qualidade fusíveis automotivos da lâmina para vendas
Nosso projeto é muito complicado. A equipe de Zhuolun ajudou-nos com sucesso a reduzir o custo e a aumentar a eficiência do projeto. Obrigado!

—— Alcatel Lucent

A atitude profissional séria e responsável e o estilo altamente profissional do trabalho promoveram eficazmente a aplicação de nosso projeto.

—— Labram Adams

Um amigo de confiança resolveu rapidamente meu problema.

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Tubo do MOS do efeito de campo do transistor de poder da série 700V CoolMOS P7 de IPD70R1K4P7S

China Tubo do MOS do efeito de campo do transistor de poder da série 700V CoolMOS P7 de IPD70R1K4P7S fornecedor

Imagem Grande :  Tubo do MOS do efeito de campo do transistor de poder da série 700V CoolMOS P7 de IPD70R1K4P7S

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: Julun
Certificação: CE/UL/VDE/KC/ROHS
Número do modelo: PG-TO 252-3

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 100 / Negociável
Preço: Negotiable
Detalhes da embalagem: Embalagem padrão
Tempo de entrega: 7 ~ 10 dias úteis
Termos de pagamento: L/C, D/P, T/T, MoneyGram
Habilidade da fonte: 10000/Piece/Weekly
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Descrição de produto detalhada
Processo: PG-TO 252-3 Eléctrodo: 3
Polaridade: Como marcado Posição de montagem: qualquer

 

Tubo do MOS do efeito de campo do transistor de poder da série 700V CoolMOS P7 de IPD70R1K4P7S

 

 

Características
• Extremamente - baixas perdas devido ao *Qg muito baixo de FOM RDS (sobre) e aos *Eoss do RDS (sobre)
• Comportamento térmico excelente
• Diodo integrado da proteção do ESD
• Baixas perdas do interruptor (Eoss)
• CRNA da validação do produto. Padrão de JEDEC

 

Benefícios
• Tecnologia competitiva do custo
• Mais baixa temperatura
• Aspereza alta do ESD
• Permite ganhos da eficiência em umas frequências de comutação mais altas
• Permite projetos da densidade de poder superior e fatoras de formulários pequenos

 

Aplicações potenciais
Recomendado para as topologias do Flyback por exemplo usadas nos carregadores,
Adaptadores, leve aplicações, etc.

 

Parâmetros do desempenho chave e do pacote

 

Parâmetro Valor Unidade
VDS @ Tj=25°C 700 V
RDS (sobre), máximo 1,4 Ω
Qg, tipo 4,7 nC
Identificação, pulso 8,2 A
Eoss @ 400V 0,6 μJ
V (GS) th, tipo 3 A
Classe do ESD (HBM) 1C /

 

Datilografe/código pedindo Pacote Marcação Relações relacionadas
IPD70R1K4P7S PG-TO 252-3 70S1K4P7 veja o apêndice A

 

 

Tubo do MOS do efeito de campo do transistor de poder da série 700V CoolMOS P7 de IPD70R1K4P7STubo do MOS do efeito de campo do transistor de poder da série 700V CoolMOS P7 de IPD70R1K4P7S

 

FAQ


Q: Que posso eu fazer se eu obtive um FUSÍVEL quebrado INC do formulário A-TEAM do produto?
A: Satisfaça antes de mais nada dizem-nos que o mais cedo possível depois que nós lhe enviaremos um novo imediatamente mas nos enviaremos por favor o produto quebrado .you não têm que se preocupar sobre a carga que do transporte nós pagaremos por aquele.
Q; Somos nós um importador ou um fabricante?
A; Nós somos um fabricante
Q: Porque você tem que nos escolher
A: Segurança de alta qualidade. A maioria preço competitivo e de transporte rápido


Diga-me por favor:
Que especificações de produto você precisa? quando você pedir uma cotação. Eu dar-lhe-ei a maioria de preço competitivo por como suas exigências. E nós temos muitos tipos para você escolher.


P.S.: Se você não pode encontrar nenhuns produtos para cumprir suas exigências. dê boas-vindas para enviar-nos os desenhos de detalhes de modo que nós possamos nos proporcionar nosso serviço profissional & melhor a você.

Contacto
dongguan Julun electronics co.,ltd

Pessoa de Contato: Julun

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