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transistor de efeito de campo do transistor de poder IPA80R1K4CE do CE de 800V CoolMOSTM

Certificado
de boa qualidade fusíveis automotivos da lâmina para vendas
de boa qualidade fusíveis automotivos da lâmina para vendas
Nosso projeto é muito complicado. A equipe de Zhuolun ajudou-nos com sucesso a reduzir o custo e a aumentar a eficiência do projeto. Obrigado!

—— Alcatel Lucent

A atitude profissional séria e responsável e o estilo altamente profissional do trabalho promoveram eficazmente a aplicação de nosso projeto.

—— Labram Adams

Um amigo de confiança resolveu rapidamente meu problema.

—— Alfred

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transistor de efeito de campo do transistor de poder IPA80R1K4CE do CE de 800V CoolMOSTM

China transistor de efeito de campo do transistor de poder IPA80R1K4CE do CE de 800V CoolMOSTM fornecedor

Imagem Grande :  transistor de efeito de campo do transistor de poder IPA80R1K4CE do CE de 800V CoolMOSTM

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: Julun
Certificação: CE/UL/VDE/KC/ROHS
Número do modelo: PG-TO 220

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 100 / Negociável
Preço: Negotiable
Detalhes da embalagem: Embalagem padrão
Tempo de entrega: 7 ~ 10 dias úteis
Termos de pagamento: L/C, D/P, T/T, MoneyGram
Habilidade da fonte: 10000/Piece/Weekly
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Descrição de produto detalhada
Processo: TO220 Eléctrodo: 3
Polaridade: Como marcado Posição de montagem: qualquer

 

transistor de efeito de campo do transistor de poder IPA80R1K4CE do CE de 800V CoolMOSTM

 

 

 

Descrição
O CE de CoolMOS™ é uma tecnologia revolucionária para o poder de alta tensão
MOSFETs. A capacidade de alta tensão combina a segurança com o desempenho
e aspereza para permitir projetos do estábulo a nível da eficiência a mais alta.
O CE de CoolMOS™ 800V vem com o oferecimento selecionado da escolha do pacote
o benefício de custos de sistema reduzidos e de densidade de poder mais alto projeta.
Características
• Tecnologia de alta tensão
• Dv/dt extremo avaliado
• Capacidade alta da corrente máxima
• Baixa carga da porta
• Baixas capacidades eficazes
• chapeamento Pb-livre, RoHS complacente, composto livre do molde do halogênio
• Qualificado para aplicações da categoria de consumidor

 

Aplicações
Iluminação do diodo emissor de luz para aplicações do retrofit na topologia do Flyback de QR

 

 

Parâmetros do desempenho chave e do pacote


 

Parâmetro Valor Unidade
VDS @ Tj=25°C 800 V
RDS (sobre), máximo 1400
Qg.typ 23 nC
Identificação, pulso 12 A
Eoss@400V 1,8 μJ
Diodo di/dt do corpo 400 A/μs

 

Datilografe/código pedindo Pacote Marcação Relações relacionadas
IPA80R1K4CE PG-TO 220 FullPAK 8R1K4CE veja o apêndice A

 

 

transistor de efeito de campo do transistor de poder IPA80R1K4CE do CE de 800V CoolMOSTM

transistor de efeito de campo do transistor de poder IPA80R1K4CE do CE de 800V CoolMOSTM

As dimensões não incluem o flash do molde, as saliências ou as rebarbas da porta

 

 

FAQ


Q: Que posso eu fazer se eu obtive um FUSÍVEL quebrado INC do formulário A-TEAM do produto?
A: Satisfaça antes de mais nada dizem-nos que o mais cedo possível depois que nós lhe enviaremos um novo imediatamente mas nos enviaremos por favor o produto quebrado .you não têm que se preocupar sobre a carga que do transporte nós pagaremos por aquele.
Q; Somos nós um importador ou um fabricante?
A; Nós somos um fabricante
Q: Porque você tem que nos escolher
A: Segurança de alta qualidade. A maioria preço competitivo e de transporte rápido


Diga-me por favor:
Que especificações de produto você precisa? quando você pedir uma cotação. Eu dar-lhe-ei a maioria de preço competitivo por como suas exigências. E nós temos muitos tipos para você escolher.


P.S.: Se você não pode encontrar nenhuns produtos para cumprir suas exigências. dê boas-vindas para enviar-nos os desenhos de detalhes de modo que nós possamos nos proporcionar nosso serviço profissional & melhor a você.

Contacto
dongguan Julun electronics co.,ltd

Pessoa de Contato: Julun

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