Tubo do MOS do efeito de campo do transistor de poder da série 700V CoolMOS P7 de IPD70R1K4P7S
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | Julun |
| Certificação: | CE/UL/VDE/KC/ROHS |
| Número do modelo: | PG-TO 252-3 |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 100 / Negociável |
|---|---|
| Preço: | negotiable |
| Detalhes da embalagem: | Embalagem padrão |
| Tempo de entrega: | 7 ~ 10 dias úteis |
| Termos de pagamento: | L/C, D/P, T/T, |
| Habilidade da fonte: | 10000/Piece/Weekly |
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Informação detalhada |
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| Processo: | PG-TO 252-3 | Eléctrodo: | 3 |
|---|---|---|---|
| Polaridade: | Como marcado | Posição de montagem: | qualquer |
| Destacar: | diodo atual alto de schottky,Díodo de Schottky barreira |
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Descrição de produto
Tubo do MOS do efeito de campo do transistor de poder da série 700V CoolMOS P7 de IPD70R1K4P7S
Características
• Extremamente - baixas perdas devido ao *Qg muito baixo de FOM RDS (sobre) e aos *Eoss do RDS (sobre)
• Comportamento térmico excelente
• Diodo integrado da proteção do ESD
• Baixas perdas do interruptor (Eoss)
• CRNA da validação do produto. Padrão de JEDEC
Benefícios
• Tecnologia competitiva do custo
• Mais baixa temperatura
• Aspereza alta do ESD
• Permite ganhos da eficiência em umas frequências de comutação mais altas
• Permite projetos da densidade de poder superior e fatoras de formulários pequenos
Aplicações potenciais
Recomendado para as topologias do Flyback por exemplo usadas nos carregadores,
Adaptadores, leve aplicações, etc.
| Parâmetro | Valor | Unidade |
| VDS @ Tj=25°C | 700 | V |
| RDS (sobre), máximo | 1,4 | Ω |
| Qg, tipo | 4,7 | nC |
| Identificação, pulso | 8,2 | A |
| Eoss @ 400V | 0,6 | μJ |
| V (GS) th, tipo | 3 | A |
| Classe do ESD (HBM) | 1C | / |
| Datilografe/código pedindo | Pacote | Marcação | Relações relacionadas |
| IPD70R1K4P7S | PG-TO 252-3 | 70S1K4P7 | veja o apêndice A |
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Q: Que posso eu fazer se eu obtive um FUSÍVEL quebrado INC do formulário A-TEAM do produto?
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